报告题目：碳化硅晶圆加工过程面临的挑战与解决方案

报告简介：

单晶碳化硅是重要的第三代半导体材料，广泛应用于高频、高压器件等领域。因其硬度高、化学惰性强，在晶圆加工过程面临许多挑战。本文分析了碳化硅市场的现状及应用前景。探讨碳化硅晶圆表面金属杂质浓度、晶圆残余应力、晶圆亚表层损伤对加工成品率的影响。针对大尺寸碳化硅研磨抛光工艺进行简单分析，对碳化硅加工技术未来发展提出几点建议。

张保国教授，博士生导师。2000年，美国内华达大学里诺分校获工学博士学位；2000-2011年，在美国AXT，Wafer World，SVTC, Alta Devices等半导体高科技公司工作，研究方向：半导体材料（Si, Ge，GaAs, InP等）化学机械抛光和表面清洗，以及集成电路化学机械平坦化工艺（Cu, Ta, W, SiO2等）, 担任高级工程师。2011-2013年，在江苏省创办无锡纳克斯半导体材料公司，担任总经理，兼任技术总监。2013年，加入河北工业大学电子与信息工程学院，任特聘教授。江苏省双创人才，河北省百人计划人才，燕赵友谊奖获得者。