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厚壳层半导体量子点的光电性质及其应用
发布日期:2020-10-30   浏览次数:

报告题目:厚壳层半导体量子点的光电性质及其应用

报告时间:202011月02日 15:30--17:00

报告地点:实践楼301会议室

报告摘要:基于半导体量子点的光电器件是当前研究热点之一,但量子点固有的大表面/体积比会导致材料稳定性差,同时声子瓶颈效应所引起的Auger效应增强,这两个因素会严重阻碍其在激光和单光子源领域的应用,限制了这些器件的性能提升。通过在半导体纳米材料上外延生长厚宽禁带壳层,形成“巨型”量子点不仅能有效提高材料的光电稳定性,而且显著抑制其中的Auger效应。本报告将介绍我们近几年在“巨型”量子点材料光电性质方面的研究工作。我们制备了厚宽禁带壳层量子点,利用pump-probe方法和条纹相机来系统地研究了“巨型”量子点的超快光吸收光谱、荧光动力学过程、多激子复合过程、以及光放大过程,研究了群体量子点中的量子限制Stark效应,研发了基于这种量子点的紫外探测器。


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